在当今科技领域，等离子体工艺和薄膜沉积技术扮演着越来越重要的角色。而在这个领域，瑞典Ionautics的HiPSTER HiPIMS装置无疑是行业的**，Ionautics成立于2010年，一直致力于电离物**相沉积领域的创新与研究。近期，Ionautics发布了新产品HiPSTER 20脉冲发生器，这款专为工业用途和研发部门打造的20 kW高功率HiPIMS解决方案，体现了Ionautics在等离子体工艺和薄膜沉积技术领域的**地位。
HiPIMS 技术
HiPIMS是一种先进的薄膜沉积技术，通过使用标准磁控管的脉冲等离子体放电来电离材料通量。其独特的优点在于，离子可以通过电场和磁场的共同作用进行引导和操纵，从而在薄膜沉积过程中获得**的性能。与传统的薄膜沉积技术相比，HiPIMS能够更**地控制薄膜的厚度、均匀性和附着性等关键参数，从而显著提高产品的性能和稳定性。
Ionautics的HiPSTER装置在HiPIMS技术的基础上，进一步引入了创新的快速开关技术和扩展的HiPIMS脉冲控制技术。通过**的脉冲时序和幅度控制，实现了对等离子体工艺的**调控。这种控制技术使得研究人员能够更好地掌握等离子体工艺的各个参数，从而更好地优化工艺条件，提高产品的性能和稳定性。
关于HiPSTER 20脉冲发生器
Ionautics 的新产品 HiPSTER 20 脉冲发生器针对工业用途和研发部门的需求，专门设计成一款20 kW的高功率 HiPIMS 解决方案。 它充分利用了HiPIMS技术的优势，HiPSTER 20脉冲发生器磁控管尺寸可达 1700 cm2，能够在处理大面积工艺时展现出显著的优势，并提供**的性能和效率。
HiPSTER 20 脉冲发生器特点：
恒定电压，没有不必要的震荡
可通过主从配置进行控制——多个电源。
新的开关技术允许HiPIMS脉冲**高达 10 kHz
添加 lonautics 的叠加技术HIPIMS DC
可按要求实施反应式 HiPIMS 过程控制
在平面和可旋转磁控管上进行工业应用测试
放电脉冲电压和电流的实时信息
HiPSTER 20 脉冲发生器应用
硬质涂层
更光滑、更致密的元素 以及反应沉积复合涂层、可提高硬度、减少 腐蚀，减少摩擦
光学涂层
提高光学性能，通过光滑的界面和致密的结构提高光学性能
阻隔涂层
通过增加涂层密度
电气涂层
提高导电性，从而减少涂层厚度，**热负荷。对于绝缘体，还可提高隔离度隔热性能。
3-D 涂层
在形状复杂的形状的基材上
HiPSTER 20 脉冲发生器输出规格
输出平均功率：≤20千瓦
输出峰值电压: ≤1000V
输出峰值电流: ≤2000A
调节模式：电压、电流、功率、脉冲电流、脉冲充电
脉冲**: 50 至 10000 赫兹
脉冲持续时间:3.5us至1000us
电弧控制-反应时间: 2us
触发输入/输出: TTL兼容
HiPSTER 20 脉冲发生器输入规格
交流输入电压: 1相 N,100-240 VAC,50/60 Hz
230V 时的输入电流: 0.7安直流充电输入: **1000 V，浮动
HiPSTER 20 脉冲发生器环境指标
工作温度: 5°C 至 40°C
储存温度: -25°C 至 55°C
相对湿度: ** 85%，非冷凝
气压: 80 kPa 至 106 kPa
冷却方式: 风冷
污染**: 2级。冷却空气必须正常,不含腐蚀性蒸气并且导电颗粒。
规格: CE 认证
瑞典 Ionautics HiPSTER HiPIMS装置以其创新的科技和**的性能**了等离子体工艺的新篇章。HiPSTER 20 脉冲发生器以其**、可靠、大尺寸的特点，成为适用于工业用途和研发部门20 kW HiPIMS 解决方案的理想选择 。 无论是在科研领域还是在工业生产中，Ionautics以**的电离物**相沉积技术，为您提供先进的工具和专业知识。
