光刻胶（Photoresist）又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体。
光刻胶是一种在半导体制造中广泛使用的材料。它具有高分辨率、高精度和化学稳定性的特点。光刻胶通过光刻技术将图案转移到硅片上，用于制造微电子器件。它可以选择性地暴露于紫外光，形成图案，并在显影过程中去除未暴露的部分。光刻胶的选择取决于所需的分辨率和化学特性。常见的光刻胶包括正胶和负胶，它们具有不同的曝光和显影特性。光刻胶在半导体工业中起着至关重要的作用，帮助实现微小器件的制造。
您好，EUV光刻胶是一种用于极紫外（EUV）光刻技术的特殊光刻胶。EUV光刻是一种先进的半导体制造技术，使用极紫外光源（波长约为13.5纳米）进行曝光，可以实现更高的分辨率和更小的特征尺寸。EUV光刻胶主要用于在半导体芯片制造过程中，通过光刻技术将芯片上的图案转移到硅片上。
EUV光刻胶具有较高的抗辐照性能和化学稳定性，以适应EUV光源的特殊要求。它通常由光敏剂、单体、增容剂和溶剂等组成。在曝光过程中，光敏剂会吸收EUV光，并引起光刻胶的化学反应，从而产生可溶性的差异，用于形成所需的图案。随后，通过显影和其他后续工艺步骤，可以将图案转移到硅片上，形成芯片上的电路结构。
EUV光刻胶的研发和制造面临着许多技术挑战，如提高光敏剂的光度和化学灵敏度、降低胶层的吸收和散射等。目前，EUV光刻胶的研究和应用已经成为半导体行业的热点领域，对于推动下一代芯片制造技术的发展具有重要意义。
PCB光刻胶是一种用于印刷电路板制造的特殊材料。它是一种光敏物质，可以在紫外光的作用下发生化学反应。在制造过程中，光刻胶被涂覆在电路板表面，然后通过光刻机将设计好的图案投射到光刻胶上。
光刻胶在受光区域发生聚合反应，形成保护层，而未受光区域则被溶解掉。这样，就形成了电路板上的图案。光刻胶具有高分辨率、良好的粘附性和化学稳定性，是制造高质量电路板的重要材料。
中文名称：(9H-芴-9,9-二基)双(亚甲基)二丙烯酸酯
光刻胶,又称光致抗蚀剂,具有光化学性,在光的照射下溶解度发生变化,一般以液态涂覆在半导体、导体等基片表面上,曝光烘烤后成固态,它可以实现从掩膜版到基片上的图形转移,在后续的处理工序中保护基片不受侵蚀,是微细加工技术中的关键材料。
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