①三星下令暂停存储芯片第六代V-NAND成熟型制程报价，低于1.6美元者全面停止出货；②在NAND Flash调涨趋势下，大陆存储模组厂近日暂停报价及接单，将配合原厂报价调高8%-10%；③买方仍在观望，涨价效应有待继续观察，特别是主流存储芯片报价上涨时间可能有所延后。
存储芯片报价跌跌不休，厂商难忍亏损。
据台湾工商时报今日报道，三星下令暂停存储芯片第六代V-NAND成熟型制程报价，低于1.6美元者全面停止出货。
已有两大厂商私下证实这一消息，并表示“先前该产品1.45-1.48的美元低价位，未来不会再出现了”，意味存储芯片价格全面看涨，有望在供应链配合下，进入报价回升周期。
据台湾电子时报昨日消息，在NAND Flash调涨趋势下，大陆存储模组厂近日暂停报价及接单，将配合原厂报价调高8%-10%。尽管买卖双方仍处拉锯阶段，但产业涨价风向愈趋明确，NAND价格逐步朝制造成本线靠拢。
值得注意的是，三星内部规划将暂停平泽P1产线，预计将延续至少1个月或更久，该产线主打的便是128层堆叠的第6代V-NAND成熟制程产品。
而近一年多以来，三星积极去化的主力就是V6产品，由于V6产能规模庞大，目前库存水位仍有不少，但去化带来成效，也有助于降低短期出货压力。
由于存储芯片原厂积极推动去化库存，不时会要求特定存储芯片模组配合拿货。台媒指出，先前曾传出3家大陆模组厂商于二季度与三星签下大单，各家将承接6000万颗512Gb IC，将分批在未来6个月内完成拉货，成本价格约在1.45美元。
近期NAND涨价传言不断，许多中小型客户均计划趁涨价前再拉低价囤货。随着原厂减产动作发酵，存储芯片模组业者也配合涨价，有助于推动OEM客户重启备货。
此外，从存储芯片业界近期释出的信号来看，产业景气确有接近谷底迹象。
例如封测厂南茂在2023年下半年展望中明确指出，DRAM订单回温，NAND模组厂也已陆续恢复拉货，2024年有望进入复苏周期。存储芯片控制IC设计厂商慧荣科技也指出，公司第三季营收有望环比增长15%-20％，毛利率则持稳往上。
NAND Flash跌幅有望收敛 但涨价效应有待继续观察
展望第三季，进入传统备货旺季之后，NAND报价跌幅有望进一步收敛。TrendForce便预估，第三季NAND Flash报价将环比下降3%-8％，跌幅收敛。
存储芯片厂商则指出，整体而言，存储芯片报价有落底现象，大厂全面启动减产，效应预估第三季开始反应，报价已非全面下跌，HBM在AI风潮带动下，需求大增，价格也不错，预计存储芯片报价于2024年重回上涨周期的概率颇高。
不过，存储芯片短期出货有望反弹的预期，有一部分原因来自iPhone 15即将上市、其他手机品牌也陆续推出新品。但目前终端需求疲软，iPhone 15系列新机虽然将在秋季上市，但最新产业报告预估目标产量大降至7700万台，对电子产业的拉动效果恐不明朗。
因此虽然产业链开始暂停报价、拟调涨报价，但买方仍在观望，涨价效应有待继续观察，特别是主流存储芯片报价上涨时间可能有所延后。
（文章来源：财联社）
